• 船舶半导体理论题库

关于晶闸管的下列说法正确的是()。

[单选题]关于晶闸管的下列说法正确的是()。A .具有三端四层结构B .具有与二极管完全一致的单向导电性C .正常使用情况下,由关断转为导通的充要条件是控制极与阳极间加正向电压或正向脉冲D .正常使用情况下,由关断转为导通的充要条件是阳极与阴极间加正向脉冲

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  • 晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自地放大电路中的()。

    [单选题]晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自地放大电路中的()。A .晶体管本身B .信号源C .负载输入D .直流电源

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  • 未引入负反馈的开环工作的运放一般工作于()。

    [单选题]未引入负反馈的开环工作的运放一般工作于()。A .线性区B .饱和区C .截止区D .线性区或饱和区

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  • 在三极管基本放大电路中,为了获得最大的不失真电压放大,应该将静态工作点设置在三极

    [单选题]在三极管基本放大电路中,为了获得最大的不失真电压放大,应该将静态工作点设置在三极管的()。A .放大区中央部分B .放大区即可C .饱和区D .截止区

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  • 用万用表测试某电路中一个NPN型三极管的静态工作电压时,当UCE≈UCC时,可断

    [单选题]用万用表测试某电路中一个NPN型三极管的静态工作电压时,当UCE≈UCC时,可断定管子处于()状态。A .放大B .饱和C .短路D .截止

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  • 三极管工作在截止状态时其条件是()。

    [单选题]三极管工作在截止状态时其条件是()。A .发射结正向偏置,集电结反向偏置B .发射结电压小于其死区电压C .发射结集电结都正向偏置D .集电结电压大于其死区电压

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  • 晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自于放大电路中的()。

    [单选题]晶体管具有电流放大能力,而放大能源来自于放大电路中的()。A .信号源B .晶体管本身C .直流电源D .由负载灌入

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  • 当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时,晶体管处于()。

    [单选题]当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时,晶体管处于()。A .放大区B .饱和区C .截止区D .放大或饱和区

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  • 晶体管工作在饱和区的条件是()。

    [单选题]晶体管工作在饱和区的条件是()。A .发射结正向偏置,集电结反向偏置B .发射结反向偏置,集电结正向偏置C .发射结正向偏置,集电结正向偏置D .发射结反向偏置,集电结反向偏置

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  • 对于单管共射极基本放大电路,若静态工作点不合适,比较方便的做法是()。

    [单选题]对于单管共射极基本放大电路,若静态工作点不合适,比较方便的做法是()。A .负载大小B .基极注入电流大小C .电流放大系数的大小D .电压放大倍数的大小

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  • NPN型晶体管处于放大状态时,管脚电位应有()。

    [单选题]NPN型晶体管处于放大状态时,管脚电位应有()。A .VC>VE>VBB .VC>VB>VEC .VC>VB>VED .VB>VE>VC

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  • 将单相半波整流电路中的二极管换成晶闸管并设计相关的触发电路,则该电路的功能为()

    [单选题]将单相半波整流电路中的二极管换成晶闸管并设计相关的触发电路,则该电路的功能为()。A .全波可控整流电路B .半波可控整流电路C .逆变电路D .变频电路

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  • 在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不合适而出现饱和失真。为了改善失真波形

    [单选题]在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不合适而出现饱和失真。为了改善失真波形,方便的做法是应()。A .增大三极管基极静态输入电流B .减小三极管基极静态输入电流C .减小信号电压D .目前的三极管性能不好,应更换一个

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  • 晶体三极管工作时,温度升高其死区电压();输入特性曲线()。

    [单选题]晶体三极管工作时,温度升高其死区电压();输入特性曲线()。A .减小/右移B .增大/右移C .增大/左移D .减小/左移

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  • 为使晶体管可靠地处于截止状态时,它的集电结()偏,发射结()偏。

    [单选题]为使晶体管可靠地处于截止状态时,它的集电结()偏,发射结()偏。A .正/反B .反/正C .正/正D .反/反

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  • 关于晶闸管应用的下列说法错误的是()。

    [单选题]关于晶闸管应用的下列说法错误的是()。A .经逆变等环节实现直流调压B .可用做交流开关,实现交流调压C .仅仅用于可控整流D .常用于灯光可调节的照明电路

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  • 晶体管处于饱和状态时,它的集电结()偏,发射结()偏。

    [单选题]晶体管处于饱和状态时,它的集电结()偏,发射结()偏。A .正/反B .反/正C .正/正D .反/反

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  • 二极管、三极管、晶闸管分别有()个PN结,分别有()个极。

    [单选题]二极管、三极管、晶闸管分别有()个PN结,分别有()个极。A .1,2,3/2,3,4B .1,2,2/2,3,3C .1,2,3/2,3,3D .1,3,3/1,3,3

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  • 在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不合适而出现截止失真。为了改善失真波形

    [单选题]在三极管基本放大电路中,由于静态工作点设置不合适而出现截止失真。为了改善失真波形,方便的做法是应()。A .增大三极管基极静态输入电流B .减小三极管基极静态输入电流C .增大信号电压D .目前的三极管性能不好,应更换一个

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  • 该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电

    [单选题]该整流电路输入交流电压有效值为U,有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路,负载的平均电压U0的特点是(),当负载开路(即RL=∞)时,输出电压U0为()。A .增大/UB .增大/UC .减小/UD .减小/U

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  • 金属导体的电阻率随温度升高而();半导体的导电能力随温度升高而()。

    [单选题]金属导体的电阻率随温度升高而();半导体的导电能力随温度升高而()。A .升高/升高B .降低/降低C .升高/降低D .降低/升高

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  • 在滤波电路中,电容器与负载()联,电感与负载()联。

    [单选题]在滤波电路中,电容器与负载()联,电感与负载()联。A .串/并B .并/串C .并/并D .串/串

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  • 关于晶闸管的下列说法错误的是()。

    [单选题]关于晶闸管的下列说法错误的是()。A .若控制端与阴极间不加正向电压,则无论在阳阴极间加多大的正向电压,管子均不会导通B .具有与二极管不完全一致的单向导电性C .在一定范围内,随着正向控制电压的升高,管子阳阴极间的导通变得越容易D .阳阴极间加正向6V直流电压时,使晶闸管导通的控制极最小电压为其触发电压

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  • 晶体管作为开关使用时,主要工作于()。

    [单选题]晶体管作为开关使用时,主要工作于()。A .截止区,放大区B .截止区,饱和区C .放大区,饱和区D .饱和区

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  • 当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数的值为()。

    [单选题]当逻辑变量A=1、B=1、C=1时,求逻辑函数的值为()。A .0B .1C .2D .3

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  • 为了获得比较平滑的直流电压,需在整流电路后加滤波电路,滤波电路的作用是();滤波

    [单选题]为了获得比较平滑的直流电压,需在整流电路后加滤波电路,滤波电路的作用是();滤波效果最好的是()滤波电路。A .滤掉交流成分/电感B .滤掉直流成分/电容C .滤掉交流成分/П型D .滤掉直流成分/Г型

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  • 在桥式整流电路中,若有一只二极管极性接反,则会出现();若有一只二极管被击穿短路

    [单选题]在桥式整流电路中,若有一只二极管极性接反,则会出现();若有一只二极管被击穿短路,则会出现()。A .半波整流/半波整流B .无输出电压/半波整流C .半波整流/无输出电压D .烧毁电路/烧毁电路

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  • P型半导体中的多数载流子是()。

    [单选题]P型半导体中的多数载流子是()。A .自由电子B .空穴C .束缚电子D .晶格上的离子

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  • 一整流电路,其负载端的平均电压为输入交流电压有效值的0.9倍,则此整流电路为()

    [单选题]一整流电路,其负载端的平均电压为输入交流电压有效值的0.9倍,则此整流电路为()电路。A .全波整流B .半波整流C .桥式整流D .全波整流或桥式整流

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  • 关于P型半导体的下列说法,错误的是()。

    [单选题]关于P型半导体的下列说法,错误的是()。A .空穴是多数载流子B .在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极C .在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体D .在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

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