集成电路工艺原理题库

[问答题] 硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm甚至更大，其原因是什么？

[问答题] 简述两步扩散的含义与目的？

[名词解释] 化学气相沉积

[判断题] CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。A . 正确B . 错误

[判断题] 集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。A . 正确B . 错误

[名词解释] 横向扩散

[判断题] 多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。A . 正确B . 错误

[问答题] 简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点，通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层？

[问答题] 常用的半导体材料为何选择硅？

[名词解释] 恒定表面源扩散

[问答题] 简述离子注入工艺中退火的主要作用？

[判断题] 大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。A . 正确B . 错误

[判断题] 硅片制造厂可分为六个独立的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。A . 正确B . 错误

[判断题] 人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。A . 正确B . 错误

[名词解释] 物理气相沉积

[问答题] 简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？

[问答题] 说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点。

[问答题] 晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。

[问答题] 与普通溅射法相比，磁控溅射的特点是什么？

[判断题] 侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。A . 正确B . 错误

[名词解释] 间隙式扩散

[判断题] 集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明，并共享集成电路的专利。A . 正确B . 错误

[问答题] 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

[判断题] 世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。A . 正确B . 错误

[问答题] 埋层芯片互联－后布线技术的结构特点及发展趋势？

[名词解释] 溅射镀膜

[名词解释] 替位式扩散

[问答题] 插装元器件与表面贴装元器件主要区别？

[问答题] 插装元器件的结构特点及应用？

[名词解释] 蒸发镀膜