禁带宽度

[填空题] 氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。

[单选题]材料的禁带宽度，最大的是（）A . 金属；B . 杂质半导体；C . 绝缘体；D . 本征半导体；

[填空题] CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值

[填空题] 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

[单选题]禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A . 越不容易受B . 越容易受C . 基本不受

[判断题]导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）A.对B.错

[判断题]导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）A.对B.错

[单选题]常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。A .1.12B .2.14C .1.42D . D.0.92

[填空题] 存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失，此损失叫做（）。

[填空题] 为了实现串联结构，有必要在部开发禁带宽度更广的（）。