增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在U_GS作用下形成漏极电流I_D。

[单选题]N沟道场效应管的电流ID是由沟道中（）在漏源极之间电场作用下运动形成的。A.电子B.空穴C.电子和空穴

[单选题]场效应管漏极电流由的漂移运动形成（）。A .少子B .电子C .多子D .两种载流子

[填空题] NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。

[判断题] 场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。A . 正确B . 错误

[判断题] 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。A . 正确B . 错误

[单选题]场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；A . 绝缘型；B . IGBT型；C . 稳压型；

[单选题]D沟道型场效应管中的载流子是（）A . 自由电子B . 空穴C . 电子和空穴D . 带电离子

[单选题]在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）A . 体内场效应而工作的B . 表面场效应而工作的C . 载流子导电而工作的

[单选题]场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A . 栅极电流B . 栅源电压C . 漏源电压D . 栅漏电压

[单选题]绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A .较大B .较小C .为零D . D.无法判断