通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作不能到的是

A．去除金属表面有机物

B．释放金属表层气体

C．释放金属内部应力

D．在金属表面形成氧化膜

E．降低金属热膨胀系数

[单选题]通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作不能达到的目的是A.去除金属表面有机物B.释放金属表层气体C.释放金属内部应力D.在金属表面形成氧化膜E.降低金属

[单选题]基底冠除气、预氧化的目的不包括（　　）。A.防止瓷层气泡B.去除金属表面有机物C.增加金-瓷接触面积D.烤瓷合金在预氧化处理过程中形成一层氧化膜E.释

[单选题]金属烤瓷冠桥修复中，除气、预氧化的目的是A．增强金-瓷的结合强度B．增强基底冠的强度C．增加基底冠的厚度D．利于遮色瓷的涂塑E．增强瓷冠的光泽度

[单选题]金属烤瓷冠桥修复中，除气、预氧化的目的是（　　）。A.增强金-瓷的结合强度B.增强基底冠的强度C.增加基底冠的厚度D.利于遮色瓷的涂塑E.增强瓷冠的光

[单选题]金属烤瓷冠桥修复中，除气、预氧化的目的是A.增强金-瓷的结合强度B.增强基底冠的强度C.增加基底冠的厚度D.利于遮色瓷的涂塑E.增强瓷冠的光泽度

[单选题]金属烤瓷冠桥修复中，除气、预氧化的目的是（　　）。A.增强金-瓷的结合强度B.增强基底冠的强度C.增加基底冠的厚度D.利于遮色瓷的涂塑E.增强瓷冠的光

[单选题]金属烤瓷冠桥修复中，除气、预氧化的目的是（　　）。A.增强金-瓷的结合强度B.增强基底冠的强度C.增加基底冠的厚度D.利于遮色瓷的涂塑E.增强瓷冠的光

[单选题]金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

[单选题]金属基底冠除气的方法是（）。A . 低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB . 低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC . 高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD . 高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE . 高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

[单选题]金属基底冠除气的方法是A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC.高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持