关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的

A．突触前末梢去极化

B．Ca2+由膜内进入突触前膜内

C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

[单选题]关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是()A．突触后膜对Cl-或K+的通透性升高B．突触前轴突末梢去极化C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．Ca2+由膜外进人突触前膜内E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

[单选题]关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是A.突触前轴突末梢去极化B.Ca由膜外进入突触前膜内C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.突触后膜

[单选题]关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）A . 突触前轴突末梢去极化B . Ca2+由膜外进入突触前膜内C . 突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D . 突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E . 突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

[单选题]关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）A.突触前轴突末梢去极化B.C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.E.突触后膜膜电位增大，引起

[单选题]关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）A.突触前轴突末梢去极化B.C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.E.突触后膜膜电位增大，引起

[单选题]关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）A.突触前轴突末梢去极化B.C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.E.突触后膜膜电位增大，引起

[单选题]关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）A.突触前轴突末梢去极化B.C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.E.突触后膜膜电位增大，引起

[单选题]下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（　　）。A.Ca2＋由膜外进入突触前膜内B.突触前末梢去极化C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体

[单选题]关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A . Cl通道开放可降低IPSPB . 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C . IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D . IPSP使神经元的兴奋性增加E . IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关

[单选题]关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误()A.Cl通道开放可降低IPSPB.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C.IPSP常由抑制性递质与突触