数据结构被形式地定义为(K，R)，其中K是(34)的有限集合，R是K上(35)的有限集合。

A．算法

B．数据元素

C．数据操作

D．逻辑结构

[单选题]数据结构被形式地定义为(K，R)，其中K是( )的有限集，R是K上的关系有限集。A．算法B．数据元素C．数据操作D．逻辑结构

[单选题]若将数据结构形式定义为二元组(K,R)，其中K是数据元素的有限集合，则R是K上( )A．操作的有限集合B．映象的有限集合C．类型的有限集合D．关系的有限集合

[单选题]若将数据结构形式定义为二元组(K,R)，其中K是数据元素的有限集合，则R是K上( )A．操作的有限集合B．映象的有限集合C．类型的有限集合D．关系的有限集合

[单选题]若将数据结构形式定义为二元组(K，R)，其中K是数据元素的有限集合，则R是K上(26)。A．操作的有限集合B．映像的有限集合C．类型的有限集合D．关系的有限集合

[填空题] 数据结构被形式地定义为（D，R），其中D是（）的有限集合，R是D上的（）有限集合。

[填空题] 数据结构被形式地定义为（D，R），其中D是（）的有限集合，R是D上的关系有限集合。

[主观题]设K为R中的属性或属性组合,若,则K为R的()。设K为R＜U，F＞中的属性或属性组合，若，则K为R的[ ]。

[单选题]数据结构的定义为（D，S），其中D是（）的集合。A . 算法B . 数据元素C . 数据操作D . 逻辑结构

[问答题] 如图所示电路中，已知R1=8K、R2=3K，R3=6K、R4=10K，求等效电阻Rab的值？

[单选题]如图所示电路，已知R1=3kΩ，R2=2kΩ，R3=1kΩ，I=10mA，I1=6mA，则a、b两点电势高低和通过R2中电流正确的是（）A . a比b高，7mAB . a比b高，2mAC . a比b低，7mAD . a比b低，2mA