A . 0.4-0.5μm
B . 0.4-1.0μm
C . 0.5-1.0μm
D . 0.5-1.5μm
[判断题] 采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μmA . 正确B . 错误
[判断题]光电二极管具有雪崩效应。()A.对B.错
[填空题] 硅光电池、PIN型光电二极管、和雪崩光电二极管,三者中时间常数最大的是()。
[问答题] 简述雪崩光电二极管的工作原理?
[单选题]为了实现均匀倍增,雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求()。A . 浓度均匀B . 浓度大C . 浓度小D . 浓度适中
[单选题]某光电二极管的的响应速度R=0.8A/w,接收波长为1550nm,则此光电二极管的量子效率为()。A .60%B .62%C .64%D .66%
[单选题]硅光电二极管与硅光电池比较,后者()。A . 掺杂浓度低B . 电阻率低C . 反偏工作D . 光敏面积小
[单选题]硅光电二极管与硅光电池比较,前者()。A . 掺杂浓度低B . 电阻率低C . 零偏工作D . 光敏面积大
[单选题]某PIN光电二极管的量子效率η=70%,接收波长为1550nm,则此光电二极管的响应速度R为()。A .0.85B .0.875C .0.9D .0.925