可控硅反向电压大于反向最高测试电压时，可控硅________。

[判断题] 单向可控硅A-K之间加反向电压可关断导通着的可控硅。A . 正确B . 错误

[单选题]可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。A . 50B . 80C . 100D . 120

[填空题] 可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。

[判断题] 可控硅加正向电压即可导通，加反向电压即可关断。（）A . 正确B . 错误

[单选题]三相可控硅整流电路中，每个可控硅承受的最大反向电压是二次（）。A . 相电压值；B . 相电压峰值；C . 线电压值；D . 线电压峰值。

[填空题] 可控硅正向电压大于正向转折电压时，呈________状态。

[单选题]选择R101抽屉可控硅的额定电压时，一般选择可控硅上可能出现的最高瞬时电压的（）倍A .1.5—2B .2—3C .3—4

[单选题]可控硅在应用中当阳极加上正电压，阴极加负电压时，若控制极不加电压，可控硅处于（）状态。A . 发射B . 导通C . 恢复D . 阻断

[填空题] 可控硅一旦导通，即使控制极电压去掉，可控硅仍然可以保持（）。

[单选题]可控硅整流电路，直流输出电压的大小是通过控制可控硅导通（）。A .电压B .电流C .时间D .电阻。