若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（）

参考答案与解析：

[填空题] 半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。

[填空题] 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

[判断题] 利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件。A . 正确B . 错误

[单选题]在光电倍增管中，产生光电效应的是（）。A . 阴极B . 阳极C . 倍增极D . 玻璃窗

[单选题]常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。A .1.12B .2.14C .1.42D . D.0.92

[单选题]发生光电效应几率的实验近似公式为（）。A . τ=kρB . τ=z2λ2C . τ=kρzλD . τ=kρz4λ3

[填空题] 因为发生光电效应后光子即消失了，所以光电效应也叫（）。

[单选题]发生光电效应的件条是（）。A . hQB.hQ>E结B . hE>>E结

[单选题]禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A . 越不容易受B . 越容易受C . 基本不受

[单选题]用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A .低于B .等于或大于C .大于