晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

[填空题] 晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

[判断题] 晶体三极管的发射结处于正向偏置时，三极管就导通。A . 正确B . 错误

[单选题]晶体三极管的输入特性类似于晶体二极管的（）。A . 伏安特性B . 正向特性C . 反向特性D . 击穿特性

[判断题] 二极管具有正向导通、反向截止特性A . 正确B . 错误

[单选题]当晶体三极管的集电结加反向电压，发射结加正向电压时，三极管处于（）状态。A .截止B .饱和C .放大D .自由

[单选题]当晶体三极管的基极电源使发射结反向时，则晶体三极管的集电极电流将（）。A . 反向B . 增大C . 中断D . 减小

[填空题] 晶体二极管（）的导电特性，称为晶体二极管的单向导电性。

[单选题]晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处于()工作状态。A.放大B.截止C.饱和D.开路

[单选题]当晶体管的发射结加正向电压，集电结加反向电压时，晶体三极管处于（）状态。A . 截止B . 饱和C . 放大D . 自由

[单选题]硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）A .0.7V；0.3VB .0.2V；0.3VC .0.3V；0.7VD .0.7V；0.6V