金属基底冠除气目的，下列说法正确的是

[多选题]金属基底冠除气目的，下列说法正确的是A.去除铸造过程中形成的氧化膜B.去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物C.排除合金中残留的气体D.避免瓷熔附时出现

[多选题] 金属基底冠除气目的，下列说法正确的是（）A . 去除铸造过程中形成的氧化膜B . 去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物C . 排除合金中残留的气体D . 避免瓷熔附时出现气泡E . 在基底表面形成氧化膜

[多选题]金属基底冠除气目的，下列说法正确的是（）A.去除铸造过程中形成的氧化膜B.去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物C.排除合金中残留的气体D.避免瓷熔附时

[单选题]金属基底冠除气目的,下列说法正确的是A．去除铸造过程中形成的氧化膜B．去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物C．排除合金中残留的气体D．避免瓷熔附时出现气泡E．在基底表面形成氧化膜

[单选题]金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

[单选题]金属基底冠除气的方法是（）。A . 低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB . 低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC . 高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD . 高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE . 高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

[单选题]金属基底冠除气的方法是A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC.高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持

[单选题]经超声清洁后的PFM金属基底放在烤瓷炉内加温除气，除气的目的是A．加强金属底层冠的强度B．改善陶瓷的强度C．加强金-瓷结合力D．改善金属表面色泽E．加强陶瓷的对光通透性

[单选题]通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作不能达到的目的是A.去除金属表面有机物B.释放金属表层气体C.释放金属内部应力D.在金属表面形成氧化膜E.降低金属

[多选题]下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是A.除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜B.贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可C