若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
对
错

[判断题]若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()对错A.对B.错

[判断题] 为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。A . 正确B . 错误

[单选题]与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A .比半导体的大B .比半导体的小C .与半导体的相等

[单选题]禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A . 越不容易受B . 越容易受C . 基本不受

[填空题] 受主获取电子的能量状态，处于禁带中价带顶附近，称为（）。

[判断题]半导体激光器指的是用半导体材料作为激活物质的激光器。()对错A.对B.错

[B单选题]当能量大于02MeV的γ光子从原子核附近穿过时，可能产生一个正负电子对，而光子本身消失。A.康普顿效应B.光电效应C.电子对生成D.电离E.激发

[判断题]半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）A.对B.错

[判断题]半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）A.对B.错

[B单选题]在10～100keV光子能量范围内，光子能量在10keV时光电吸收为95%以上，康普顿吸收为5%。光子能量为100keV时，康普顿吸收占95%以上。