A.1年
B.3年
C.10年
D.5年
[单选题]集成电路布图设计专有权的保护期为( )。A.1年B.3年C.10年D.5年
[单选题]在我国,集成电路布图设计专有权的保护期为().A.10年,自布图设计创作完成之日起计算B.15年,自布图设计登记申请之日起计算C.15年,自布图设计首次投入商业利用之日起计算D.10年,自布图设计登记申请之日或在世界上任何地方首次投入商业利用之日起计算
[单选题]在我国,集成电路布图设计专有权的保护期为().A .10年,自布图设计创作完成之日起计算B .15年,自布图设计登记申请之日起计算C .15年,自布图设计首次投入商业利用之日起计算D .10年,自布图设计登记申请之日或在世界上任何地方首次投入商业利用之日起计算
[单选题]我国对集成电路布图设计专有权提供的保护期限为A.1年B.3年C.5年D.10年
[单选题]集成电路布图设计专有权包括()A.复制权B.发行权C.出租权D.反向工程权
[多选题]集成电路布图设计专有权主要包括( )。A.复制权B.生产权C.商业利用权D.销售权E.追偿权
[多选题]集成电路布图设计专有权主要包括( )。A.复制权B.生产权C.商业利用权D.销售权E.追偿权
[试题]集成电路布图设计专有权的取得方式()。A.登记制B.有限的使用取得与登记制相结合C.自然取得制D.自动继承制
[多选题] 集成电路布图设计专有权的取得方式()。A . 登记制B . 有限的使用取得与登记制相结合C . 自然取得制D . 自动继承制
[多选题]集成电路布图设计专有权的限制有( )。A.合理利用B.反向工程C.权利穷竭D.强制许可