[单选题]

在低温结晶时,晶体成长速率主要受()控制。

A.扩散过程

B.表面反应过程

C.传热过程

D.三者共同

参考答案与解析:

相关试题

在低温结晶时,晶体成长速率主要受()控制。

[单选题]在低温结晶时,晶体成长速率主要受()控制。A .扩散过程B .表面反应过程C .传热过程D .三者共同

  • 查看答案
  • 碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时,由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要(),

    [单选题]碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时,由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要(),因此所得成品粒度会()。A .快,大B .快,小C .慢,大D .慢,小

  • 查看答案
  • 对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。

    [单选题]对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。A . 扩散过程B . 表面反应过程C . 传热过程D . 3个过程共同控制

  • 查看答案
  • 对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。

    [单选题]对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。A.扩散过程B.表面反应过程C.传热过程D.3个过程共同控制

  • 查看答案
  • 有哪些因素影响晶体成长速率?

    [问答题] 有哪些因素影响晶体成长速率?

  • 查看答案
  • 结晶时,若要获得颗粒少但是粒度大的晶体,应该控制溶液在()结晶

    [单选题]结晶时,若要获得颗粒少但是粒度大的晶体,应该控制溶液在()结晶A . 不稳定区B . 稳定区C . 介稳区D . 饱和曲线上

  • 查看答案
  • 下列哪些因素不能影响晶体成长速率()。

    [单选题]下列哪些因素不能影响晶体成长速率()。A .温度B .压力C .杂质D .晶体大小

  • 查看答案
  • 在同样的过饱和度下,较高温度时晶体成长的速率与晶核生成速率相比要()。

    [单选题]在同样的过饱和度下,较高温度时晶体成长的速率与晶核生成速率相比要()。A .慢B .快C .相等D .无法比较

  • 查看答案
  • 在低温时,醚化反应速度低,反应速率由动力学控制。

    [判断题] 在低温时,醚化反应速度低,反应速率由动力学控制。A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 大黄粉末升华物,低温时()有结晶,高温时()有结晶。

    [填空题] 大黄粉末升华物,低温时()有结晶,高温时()有结晶。

  • 查看答案
  • 在低温结晶时,晶体成长速率主要受()控制。