[判断题] 抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的复合体。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺陷少，均匀性、重复性和表面质量都较好，适于批量生产，应用越来越普遍。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。（）A . 正确B . 错误
[问答题,论述题] 简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
[问答题,论述题] 在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。
[判断题] 位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢复原状。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）A . 正确B . 错误
[问答题,论述题] 在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？
[问答题,论述题] 从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
[判断题] 厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能也就越高，对烧结越有利。（）A . 正确B . 错误
[问答题,论述题] 典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
[判断题] 退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。（）A . 正确B . 错误
[问答题,论述题] 画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。
[问答题,论述题] 什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
[判断题] 钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）A . 正确B . 错误
[问答题,论述题] 浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
[问答题,论述题] MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最基本的区别是什么？
[判断题] 门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列（）A . 正确B . 错误
[判断题] 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。（）A . 正确B . 错误
[判断题] 单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。（）A . 正确B . 错误
[问答题,论述题] 分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。
[判断题] 晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。（）A . 正确B . 错误