简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.

[单选题]悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。A . 3ｍｉｎB . 5ｍｉｎC . 7ｍｉｎD . 10ｍｉｎ

[填空题] 工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）

[问答题,论述题] 简述硼和磷的退火特性。

[单选题]悬浮区熔的优点不包括（）A . 不需要坩埚B . 避免了容器污染C . 更易获得高纯度硅D . 成本低

[问答题] 钠硼硅与钠钙硅系统的不混溶区各有什么特点？

[问答题] 简述射线照相检验法的原理

[问答题] 铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

[问答题] 简述酒精法检验原料乳的原理

[多选题] 铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）A . 钝化晶界B . 钝化错位C . 钝化电活性杂质

[单选题]硅硼钙石是：（）.A . 硅酸盐类矿物B . 硼酸盐类矿物C . 氧化物