当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.

[单选题]当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率( )。A.上升B.下降C.不变D.不确定

[填空题] 晶体生长的基本理论是（），（）。

[单选题]坩埚的污染(引入P型杂质)会使N型单晶尾部的电阻率，使P型单晶尾部电阻率。( )A.增高减小B.减小增高C.减小减小D.增高增高

[单选题]坩埚的污染(引入P型杂质)会使N型单晶尾部的电阻率，使P型单晶尾部电阻率。( )A.增高减小B.减小增高C.减小减小D.增高增高

[填空题] 晶体生长过程中晶面发育的理论包括（）、（）、（）。

[单选题]晶体生长最后应被生长速度（）的晶面包围。A . 快B . 慢C . 恒等D . A、B、C都不是

[判断题] 晶体生长最后应被生长速度慢的晶面包围。A . 正确B . 错误

[问答题] 常用半导体材料的晶体生长方向有几种？

[单选题]下列因素中对循环浆液中石膏晶体生长影响最小的是（）。A .浆液滞留时间B .浆液pH值C .浆液密度D .入口烟温

[单选题]通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。A .温度场B .磁场C .重力场D .电场