通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。

[单选题]当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.A . 上升B . 下降C . 不变D . 不确定

[单选题]当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率( )。A.上升B.下降C.不变D.不确定

[问答题] 丝顶端生长的泡囊学说；菌丝顶端生长的机制；顶端生长的驱动力。

[填空题] 晶体生长的基本理论是（），（）。

[单选题]晶体生长最后应被生长速度（）的晶面包围。A . 快B . 慢C . 恒等D . A、B、C都不是

[填空题] 晶体生长过程中晶面发育的理论包括（）、（）、（）。

[判断题] 晶体生长最后应被生长速度慢的晶面包围。A . 正确B . 错误

[单选题]“驱动力控制系统”的英语缩写是（）A .ABSB .TDCC .ECUD .TRC

[问答题] 常用半导体材料的晶体生长方向有几种？

[多选题] 硅外延生长工艺包括（）。A . 衬底制备B . 原位HCl腐蚀C . 生长温度，生长压力，生长速度D . 尾气的处理