若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。

[判断题] 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A . 正确B . 错误

[单选题]在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。A . DQNB . CAC . ARCD . PMMA

[单选题]在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。A . 化学增强B . 化学减弱C . 厚度增加D . 厚度减少

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[多选题] 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A . CA光刻胶对深紫外光吸收小B . CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C . CA光刻胶在显影液中的可溶性强D . 有较高的光敏度E . 有较高的对比度

[问答题] 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

[判断题] 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A . 正确B . 错误

[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

[判断题] 在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A . 正确B . 错误

[单选题]用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A . ARCB . HMDSC . 正胶D . 负胶