PN结中的内电场促进少数载流子的扩散运动。

此题为判断题(对，错)。

[填空题] PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。

[填空题] PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。

[问答题] 了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。

[填空题] P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）N型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是。

[判断题] 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。A . 正确B . 错误

[判断题] 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）A . 正确B . 错误

[单选题]杂质半导体中少数载流子浓度（）A . 与掺杂浓度和温度无关B . 只与掺杂浓度有关C . 只与温度有关D . 与掺杂浓度和温度有关

[填空题] PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。

[判断题] N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。A . 正确B . 错误

[多选题]杂质半导体中多数载流子浓度取决于( )，少数载流子浓度取于( )。A.反向电压的大小B.掺入杂质的浓度C.制作时间D.环境温度