A . 与掺杂浓度和温度无关
B . 只与掺杂浓度有关
C . 只与温度有关
D . 与掺杂浓度和温度有关
[多选题]杂质半导体中多数载流子浓度取决于( ),少数载流子浓度取于( )。A.反向电压的大小B.掺入杂质的浓度C.制作时间D.环境温度
[多选题] 在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。A . 温度B . 掺杂工艺C . 杂质浓度D . 晶体缺陷E . 空穴F . 自由电子
[填空题] P型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()N型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是。
[单选题]在P型半导体中,()是少数载流子。A . 空穴B . 电子C . 硅D . 锗
[判断题] 在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。A . 正确B . 错误
[判断题] 在N型半导体中,电子是少数载流子,空穴是多数载流子。()A . 正确B . 错误
[判断题] N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。A . 正确B . 错误
[填空题] ()型半导体中,自由电子为少数载流子。
[多选题] N型半导体中,多数载流子是(),P型半导体中,多数载流子是()。A . 正离子B . 自由电子C . 空穴D . 负离子E . 质子F . 中子
[填空题] 掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于(),它与()几乎没有关系;而少数载流子的浓度则主要与()有关,因而它的大小与()有关