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集成电路制造工艺员三级
集成电路制造工艺员
[单选题]
在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为()。
A . 1050~1200℃
B . 900~1050℃
C . 1100~1250℃
D . 1200~1350℃
参考答案与解析:
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