[单选题]

单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

A . 氮化硅

B . 二氧化硅

C . 光刻胶

D . 多晶硅