关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误()

[单选题]关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A . Cl通道开放可降低IPSPB . 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C . IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D . IPSP使神经元的兴奋性增加E . IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关

[单选题]关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）。A . Cl-通道开放可降低IPSPB . 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C . IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D . IPSP使神经元的兴奋性增加E . IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关

[单选题]关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误()A.Cl通道开放可降低IPSPB.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C.IPSP常由抑制性递质与突触

[单选题]关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A.B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化

[单选题]关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A.B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化

[单选题]产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是A.突触前末梢递质释放减少B.突触后膜Ca电导降低C.突触后膜Na电导降低D.中间神经元受抑制E.突触后膜

[单选题]关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

[多选题] 抑制性突触后电位（）A . 是“全或无”式的B . 有总和现象C . 幅度较兴奋性突触后电位大D . 是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果E . 是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

[单选题]抑制性突触后电位A．是去极化局部电位B．有“全或无”性质C．是超极化局部电位D．是突触前膜递质释放量减少所致E．是突触后膜Na+通透性增加所致

[单选题]抑制性突触后电位A．是去极化局部电位B．有“全或无”性质C．是超极化局部电位D．是突触前膜递质释放量减少所致E．是突触后膜Na+通透性增加所致