A . 正确
B . 错误
[判断题] 改变结焦时间或改变标准温度时,应该测量焦饼中心温度。A . 正确B . 错误
[单选题]在同一结焦时间内火道温度每改变10℃,焦饼中心温度相应改变()。A . 10~15℃B . 15~20℃C . 20~25℃D . 25~30℃
[判断题] 同一结焦时间内火道温度每改变10℃,焦饼中心温度相应改变25~30℃。A . 正确B . 错误
[判断题] 同一结焦时间内火道温度每改变10℃,焦饼中心温度相应改变25-30℃。A . 正确B . 错误
[填空题] 对于同一座焦炉,标准温度是根据焦饼中心温度来确定的,结焦时间越长,标准温度越()。
[填空题] 测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。
[问答题] 测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?
[单选题]焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A . 800±50℃B . 900±50℃C . 1000±50℃D . 1100±50℃
[问答题] 在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?
[单选题]规定的焦饼中心温度()。A .(800±50)℃B .(900±50)℃C .(1000±50)℃