焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。

[填空题] 一般焦饼中心温度达到（）可视为焦饼成熟。

[单选题]当焦饼中心温度达到（）时，焦炭即告成熟。A .800℃B .950℃C .1000℃D .1050℃

[填空题] 成熟的焦饼中心温度为（）℃

[填空题] 焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。

[填空题] 焦饼中心温度一般控制在（）。

[单选题]规定的焦饼中心温度（）。A .（800±50）℃B .（900±50）℃C .（1000±50）℃

[问答题] 在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？

[填空题] 测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。

[填空题] （）温度确定的依据是焦饼中心温度。

[问答题] 测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？