在液浸探伤时可消除探头近场影响的方法是（）

[单选题]液浸探伤时，采用()方法可消除探头近场的影响A.提高频率B.合适的水层距离C.大直径探头探测D.聚焦探头探测

[单选题]液浸探伤时，采用()方法可消除探头近场的影响A.提高频率B.合适的水层距离C.大直径探头探测D.聚焦探头探测

[单选题]水浸探伤中，当探头垂直探测面时，则：（）A .界面回波幅度最大B .水层多次回波消失C .波长适当D .始脉冲幅度最大

[单选题]液浸探伤的优点是（）。A .加快检验速度B .方便控制和保持波束方向C .适用于自动探伤D .上述都是

[问答题] 水浸法探伤中为消除水中及探头和工件表面的气泡应如何操作？

[判断题] 探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。A . 正确B . 错误

[单选题]液浸探伤时，需要调整探头和被检零件表面之间的距离(水距)，使声波在水中的传播时间()A.等于声波在工件中的传播时间B.大于声波在工件中的传播时间C.小

[单选题]液浸探伤时，需要调整探头和被检零件表面之间的距离(水距)，使声波在水中的传播时间()A.等于声波在工件中的传播时间B.大于声波在工件中的传播时间C.小

[单选题]探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A .增加B .减小C .不变

[单选题]在液浸探伤中，哪种波会迅速衰减：（）A .纵波B .横波C .表面波D .切变波