[单选题]在穿过式围绕线圈涡流系统中，转动试样，使试样上的缺陷处在不同位置（如上、下、左、右）的目的是什么？（）A . 为了检查相位选择性；B . 为了保证材料位于试验线圈中心；C . 为了选择调制分析的调节值；D . 为了选择正确的试验速度
[单选题]对试件内磁场的磁通密度具有最大影响的管状产品的参数是（假定磁化力H不变）（）.A . 产品的表面粗糙度；B . 产品的直径；C . 产品的壁厚；D . 产品的长度
[填空题] 斜探头的楔块应采用（）的材料制成，它的功能是将（）按给定的（）斜射到工件表面，在界面发生折射，形成（）或（）或（）在工件中传播
[填空题] 超声波探头中的匹配吸收块（），其作用是阻尼晶片的振动使脉冲便窄，限制从晶片背面发射的声波，以防止出现杂波。探头若不加阻尼块，始脉冲应会变（），盲区变（），分辩力（）
[填空题] 超声波探头中的吸收块所起的作用是（）和（），常用（）制
[填空题] 相角在每秒中变化的弧度称为（）.
[单选题]当管子中感应出了涡流，由缺陷所引起的信号振幅取决于（）。A . 缺陷深度B . 缺陷宽度C . 缺陷长度D . 上述三项都是
[单选题]光子能量的数学计算式为（）。A . E=hλ/vB . E=λ/hvC . E=hvD . E=λhv
[单选题]射线检测不适用的对象为（）。A . 焊缝B . 铸件C . 封闭物的内部结构D . 大型锻件
[单选题]发生电子对效应的光子能量范围为（）。A .0.025～0.1MeVB .30～50eVC .≥1.022MeVD .0.1～1.0MeV
[单选题]光电效应随物质原子序数的增大而增强，随光子能量的增大而（）。A . 无变化B . 增强C . 减弱D . 增大
[单选题]放射性同位素衰变时，同位素的原子核以（）方式蜕变。A . 粒子发射B . K俘获C . 淹灭辐射D . A和B
[单选题]放射性物质原子数衰变到原来（）所需的时间称为半衰期。A . 1/2B . 1/4C . 1/3D . 1/5
[单选题]电磁波波长λ的数字计算公式为（）。A . λ=chB . λ=c/vC . λ=hvD . λ=cv
[单选题]假定某放射性同位素的衰变常数λ=0.231/年，则其半衰期为（）。A . 5.3年B . 33年C . 3年D . 75天
[单选题]锻件接触法探伤中，如果探伤仪的“重复频率”调得过高，可能发生（）。A . 荧光屏“噪声”信号过高B . 时基线倾斜C . 始脉冲消失D . 容易出现“幻像波”
[单选题]射线检测方法分为（）。A . Ｘ射线检测B . γ射线检测C . 中子射线检测D . 以上都是
[单选题]对连续X射线的强度与靶材的原子序数关系的叙述正确的是（）。A . 强度与原子序数成正比B . 强度与原子序数不成正比C . 强度与原子序数成反比D . 强度与原子序数的平方成正比
[单选题]放射线物质原子衰变一半所需的时间叫做（）。A . 衰变常数B . 半衰期C . 曝光量D . 衰变时间
[单选题]锻件探伤中，引起底波降低或消失的原因有（）。A . 探头接触不良B . 遇到了材质衰减大的部位C . 工件底面不平整D . 以上都对
[单选题]射线探伤中用得最多的方法是（）。A . 焊缝B . 铸件C . 封闭物的内部结构D . 以上都对
[单选题]连续谱X射线透照工件时，随着透照厚度的增加，总的强度递减，而平均波长值（）。A . 变小B . 变大C . 不变D . 以上都不对
[单选题]方形锻件垂直法探伤时，荧光屏上出现一游动缺陷回波，其波幅较低但底波降低很大。该缺陷取向可能是（）。A . 平行且靠近探测面B . 与声速方向平行C . 与探测面成较大角度D . 平行且靠近底面
[单选题]射线探伤的基本原理是利用射线穿透物质时（）产生的物理作用。A .射线能量的衰减B .射线强度的衰减C .射线性质的转换D .以上都是
[单选题]在射线探伤中应用最多的射线是（）。A . X、α射线B . X、γ射线C . γ、β射线D . X、β射线
[单选题]下列不属于射线检测方法的是（）。A . Ｘ射线B . γ射线C . β射线D . 中子射线
[单选题]原子核外电子能级最高的是（）。A . 外壳层B . 中间壳层C . 内壳层D . 以上均不是
[单选题]在直探头探伤过程中，引起底波高度明显下降或消失的因素有（）。A .探头接触不良B .遇到材质衰减大的部位C .工件底面不平或工件内部有缺陷D .以上都对
[单选题]核电核数表示原子核带有的电荷，它等于原子核的（）。A . 质子数B . 电子数C . 中子数D . 原子序数
[单选题]射线束有窄束和宽束之分，它们的区别是（）。A . 窄束是散射线和未散射线均到达检测器，而宽束是指只有未散射的射线到达检测器B . 窄束是指只有未散射的射线到达检测器，而宽束是散射线和未散射线均到达检测器C . 窄束和宽束只与源的尺寸有关D . 窄束和宽束均取决于胶片和屏的配合