A . 温度
B . 掺杂工艺
C . 杂质浓度
D . 晶体缺陷
E . 空穴
F . 自由电子
[多选题]杂质半导体中多数载流子浓度取决于( ),少数载流子浓度取于( )。A.反向电压的大小B.掺入杂质的浓度C.制作时间D.环境温度
[单选题]杂质半导体中少数载流子浓度()A . 与掺杂浓度和温度无关B . 只与掺杂浓度有关C . 只与温度有关D . 与掺杂浓度和温度有关
[填空题] 掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于(),它与()几乎没有关系;而少数载流子的浓度则主要与()有关,因而它的大小与()有关
[填空题] P型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()N型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是。
[判断题] 在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。A . 正确B . 错误
[判断题] 在N型半导体中,电子是少数载流子,空穴是多数载流子。()A . 正确B . 错误
[单选题]在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A .空穴/自由电子B .自由电子/空穴C .空穴/共价键电子D .负离子/正离子
[判断题] N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。A . 正确B . 错误
[多选题] N型半导体中,多数载流子是(),P型半导体中,多数载流子是()。A . 正离子B . 自由电子C . 空穴D . 负离子E . 质子F . 中子
[填空题] 在P型半导体中()是多数载流子;在N型半导体中电子是多数载流子。