• 半导体芯片制造中级工题库

抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。()

[判断题] 抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。()

    [判断题] 丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 片状源扩散具有设备简单,操作方便,晶片缺陷少,均匀性、重复性和表面质量都较好,适

    [判断题] 片状源扩散具有设备简单,操作方便,晶片缺陷少,均匀性、重复性和表面质量都较好,适于批量生产,应用越来越普遍。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 点缺陷,如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它们构成的复合体。()

    [判断题] 点缺陷,如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它们构成的复合体。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 厚膜浆料存在触变性,流体受到外力作用时黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢复原状

    [判断题] 厚膜浆料存在触变性,流体受到外力作用时黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢复原状。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()

    [判断题] 在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一

    [判断题] 位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离,位移区与非位移区交界处必有原子的错位,这样产生线缺陷称为位错。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 硅MOSFET和硅JFET结构相同。()

    [判断题] 硅MOSFET和硅JFET结构相同。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 厚膜浆料属于牛顿流体,因此其粘度属于正常黏度。()

    [判断题] 厚膜浆料属于牛顿流体,因此其粘度属于正常黏度。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂,比表面积就越大,则表面自由能也就越高

    [判断题] 厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂,比表面积就越大,则表面自由能也就越高,对烧结越有利。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售

    [判断题] 目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售,一般不能再退火,一经退火反而坏了性能。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。()

    [判断题] 退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂

    [判断题] 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 钯.银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。()

    [判断题] 钯.银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 门阵列的基本结构形式有两种:一种是晶体管阵列,一种是门阵列()

    [判断题] 门阵列的基本结构形式有两种:一种是晶体管阵列,一种是门阵列()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。()

    [判断题] 可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。()

    [判断题] 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50%。()

    [判断题] 设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50%。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。()

    [判断题] 晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列,并沿一致的晶体学取向

    [判断题] 单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列,并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 在半导体集成电路中,各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不

    [判断题] 在半导体集成电路中,各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不互相影响,就必须使它们在电性能上相互绝缘。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 对于大尺寸的MOS管版图设计,适合采用什么样的版图结构?简述原因。

    [问答题] 对于大尺寸的MOS管版图设计,适合采用什么样的版图结构?简述原因。

  • 查看答案
  • 半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.()

    [判断题] 半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 叙述H2还原SiCl4外延的原理,写出化学方程式。

    [问答题] 叙述H2还原SiCl4外延的原理,写出化学方程式。

  • 查看答案
  • 什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?

    [问答题] 什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?

  • 查看答案
  • 抛光片的质量检测项目包括:几何参数,直径、()、主参考面、副参考面、平整度、弯曲

    [填空题] 抛光片的质量检测项目包括:几何参数,直径、()、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等;(),电阻率,载流子浓度,迁移率等;晶体质量,晶向,位错密度。

  • 查看答案
  • 工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录,做到记录内容详细、()、()、书

    [填空题] 工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录,做到记录内容详细、()、()、书写工整、()。

  • 查看答案
  • 光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。

    [填空题] 光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。

  • 查看答案
  • 腐蚀V形槽一般采用()的湿法化学腐蚀方法。

    [填空题] 腐蚀V形槽一般采用()的湿法化学腐蚀方法。

  • 查看答案
  • 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物质,这一类抗蚀剂称

    [判断题] 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物质,这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂,由此组成的光刻胶称为负性胶。()A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  •  1 2 3 下一页 尾页