[问答题,论述题] 在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。
[问答题,论述题] 简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
[问答题,论述题] 在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？
[问答题,论述题] 从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
[问答题,论述题] 典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
[问答题,论述题] 什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
[问答题,论述题] 画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。
[问答题,论述题] 浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
[问答题,论述题] MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最基本的区别是什么？
[问答题,论述题] 分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。
[问答题,论述题] 简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？
[问答题,论述题] 在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗？为什么？
[问答题,论述题] CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
[问答题,论述题] 简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
[问答题,论述题] 什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？
[问答题,论述题] 下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
[问答题,论述题] 离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？
[问答题,论述题] 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？
[问答题,论述题] 个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。
[问答题,论述题] 说明影响氧化速率的因素。
[问答题,论述题] 下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
[问答题,论述题] 简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
[问答题,论述题] 影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
[问答题,论述题] 根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？
[问答题,论述题] 简述几种典型真空泵的工作原理。
[问答题,论述题] 简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
[问答题,论述题] 简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
[问答题,论述题] 常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。
[问答题,论述题] 采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
[问答题,论述题] 根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？