[问答题] 按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写。
[单选题]有关右心房的说法，错误的是（）。A . 构成心右缘B . 右心耳向左前方突出C . 有四个入口D . 入口包括冠状窦口
[问答题] 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线？
[问答题] 耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？
[问答题] 在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响是？
[问答题] 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？
[问答题] 以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？
[问答题] 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？
[问答题] 集成电路中常用的电容有哪些？
[问答题] 简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤。
[问答题] 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
[问答题] 简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？
[问答题] OC门在结构上作了什么改进，它为什么不会出现TTL与非门并联的问题？
[问答题] 简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。
[问答题] 为什么基区薄层电阻需要修正？
[问答题] 什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？
[问答题] 双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？
[问答题] 按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？
[问答题] 两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。
[问答题] 如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？
[问答题] 相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善，分析改进部分是如何工作的？
[问答题] 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。
[问答题] 什么叫半导体集成电路？
[问答题] 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
[问答题] 什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？
[问答题] 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。