为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

[问答题] MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？

[填空题] 单结晶体管可分为截止区、（）和饱和区。

[判断题] 对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。A . 正确B . 错误

[问答题] 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？

[问答题] 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

[判断题] 绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。A . 正确B . 错误

[填空题] 功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。

[单选题]晶体管工作在饱和区的条件是（）。A .发射结正向偏置，集电结反向偏置B .发射结反向偏置，集电结正向偏置C .发射结正向偏置，集电结正向偏置D .发射结反向偏置，集电结反向偏置

[判断题] 振荡电路是利用晶体管的放大区和饱和区的特性工作的。A . 正确B . 错误

[判断题] 从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。A . 正确B . 错误