哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

[单选题]多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A . 二氧化硅B . 氮化硅C . 单晶硅D . 多晶硅

[单选题]通常用来提纯工业级Si生产多晶硅。( )A.B.C.HClD.

[单选题]通常用来提纯工业级Si生产多晶硅。( )A.B.C.HClD.

[单选题]多晶硅组件效率不低于（）。A . 0.15B . 0.1C . 0.14D . 0.06

[问答题] 铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

[单选题]单晶硅与多晶硅的根本区别是( )A.纯度B.原子排列方式C.导电能力D.原子结构

[单选题]晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A . n型掺杂区B . P型掺杂区C . 栅氧化层D . 场氧化层

[多选题] 铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）A . 钝化晶界B . 钝化错位C . 钝化电活性杂质

[单选题]关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（）A . 在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。B . 非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。C . 多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。D . 与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应（S-W效应），但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

[问答题] 多晶硅铸模的制造成技术有哪些？