晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

[单选题]多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A . 二氧化硅B . 氮化硅C . 单晶硅D . 多晶硅

[判断题] 在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。A . 正确B . 错误

[单选题]在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。A . 气体B . 等离子体C . 固体D . 液体

[问答题] 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

[单选题]下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是（）。A .4HF+Si=SiF4+2H2↑B .CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑C .CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑D . D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

[填空题] 二氧化硅的含量高，硅砂的（）也较高。

[单选题]硅钼黄光度法测定水中可溶性二氧化硅，配制二氧化硅贮备液时，称取一定量的高纯二氧化硅置于（）中，加入无水碳酸钠，混匀，于高温炉中，在（）℃熔融1h。A . 镍堪埚，1000B . 瓷堪埚，900C . 铂堪埚，1000D . 镍堪埚，650

[单选题]硅砖的主要成分是二氧化硅，二氧化硅有多种晶型存在，其中膨胀率最小晶型是（）。A .α-石英B .β-石英C .γ-鳞石英D .β-方石英

[主观题]铸造用硅砂二氧化硅分级，如代号为98，表示二氧化硅最低含量为98%。此题为判断题(对，错)。

[单选题]二氧化硅A．阴离子乳化剂B．非离子乳化剂C．天然乳化剂D．固体微粒乳化剂E．辅助乳化剂