多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

[单选题]晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A . n型掺杂区B . P型掺杂区C . 栅氧化层D . 场氧化层

[问答题] 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

[单选题]多晶硅组件效率不低于（）。A . 0.15B . 0.1C . 0.14D . 0.06

[问答题] 解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？

[多选题] 铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）A . 钝化晶界B . 钝化错位C . 钝化电活性杂质

[问答题] 铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

[单选题]单晶硅与多晶硅的根本区别是( )A.纯度B.原子排列方式C.导电能力D.原子结构

[问答题] 多晶硅铸模的制造成技术有哪些？

[判断题] 多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。A . 正确B . 错误

[单选题]其中不属于多晶硅的生产方法的是（）.A . SiCl4法B . 硅烷法C . 直拉法D . 西门子改良法