[问答题,论述题] 简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。
[名词解释] APCVD(常压CVD)
[问答题] 化学气相沉积(CVD)
[名词解释] PECVD(等离子增强CVD)
[填空题] a-Si:H以及合金材料,用()、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
[填空题] 目前常用的CVD系统有()、()和()。
[判断题] LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。A . 正确B . 错误
[问答题] APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是?
[问答题] 解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别,哪种工艺依赖于温度,LPCVD和APCVD各属于哪种类型?
[单选题]关于CVD涂层,()描述是不正确的。A .CVD表示化学气相沉积B .CVD是在400~600℃的较低温度下形成C .CVD涂层具有高耐磨性D . D.CVD对硬质合金有极强的粘附性