对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。

[判断题] 从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。A . 正确B . 错误

[判断题] 在晶体二极管的反向截止区、反向电流随反向电压的增大而迅速增大。（）A . 正确B . 错误

[问答题] 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

[单选题]在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，晶体管将发生（）A .集电极电压下降B .集电极电压上升C .基极电流不变D .基极电压不变

[问答题] 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？

[问答题] MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？

[单选题]当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时，晶体管处于（）。A .放大区B .饱和区C .截止区D .放大或饱和区

[判断题] 晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。A . 正确B . 错误

[单选题]温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。A . 增大B . 减少C . 不变D . 不能确定

[问答题] 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？