晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。

[判断题] 晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。A . 正确B . 错误

[判断题] 标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A . 正确B . 错误

[判断题] CD越小，源漏结的掺杂区越深。A . 正确B . 错误

[名词解释] 轻掺杂漏（LDD）

[判断题] 对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。A . 正确B . 错误

[单选题]在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）A . 基区B . 集电区C . 发射区D . 饱和区

[判断题]导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）A.对B.错

[判断题]导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）A.对B.错

[问答题] 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

[单选题]场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。A . 射极、基极和集电极B . 基极、射极和集电极C . 集电极、基极和射极