A .800℃
B .950℃
C .1000℃
D .1050℃
[单选题]焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A . 800±50℃B . 900±50℃C . 1000±50℃D . 1100±50℃
[填空题] 一般焦饼中心温度达到()可视为焦饼成熟。
[填空题] 成熟的焦饼中心温度为()℃
[问答题] 在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?
[单选题]规定的焦饼中心温度()。A .(800±50)℃B .(900±50)℃C .(1000±50)℃
[填空题] 测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。
[问答题] 测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?
[判断题] 焦饼中心温度为900±50℃。A . 正确B . 错误
[填空题] ()温度确定的依据是焦饼中心温度。
[单选题]煤隔绝空气加热,经过干燥、热解、熔融、粘结、固化、收缩等阶段,当焦饼中心温度达到(),最终成为成熟的焦炭。A . 800±50℃B . 900±50℃C . 1000±50℃D . 1100±50℃