一般焦饼中心温度达到（）可视为焦饼成熟。

[单选题]焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。A . 800±50℃B . 900±50℃C . 1000±50℃D . 1100±50℃

[填空题] 焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。

[填空题] 成熟的焦饼中心温度为（）℃

[单选题]当焦饼中心温度达到（）时，焦炭即告成熟。A .800℃B .950℃C .1000℃D .1050℃

[填空题] 焦饼中心温度一般控制在（）。

[判断题] 焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。A . 正确B . 错误

[单选题]虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。A .低于B .高于C .等于D .不高于

[问答题] 在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？

[单选题]规定的焦饼中心温度（）。A .（800±50）℃B .（900±50）℃C .（1000±50）℃

[填空题] 测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。