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[单选题]

由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。

A . 对探伤有利

B . 对探伤不利

C . 半扩散角增大

D . 超声波能量发散

参考答案与解析：

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探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。

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