
[单选题]悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。A . 3minB . 5minC . 7minD . 10min
[问答题] 影响谱带(位移)的因素有哪些?说明其影响规律和原因?
[填空题] 硅单晶的()是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素,它们是三价的还是五价的,可以将单晶化分为P型和N型两大类。
[单选题]下列哪一项不是天然水的三大杂质?()A . 悬浮物质B . 挥发物质C . 胶体物质D . 溶解物质
[填空题] 四探针法测试,C的大小取决于四探针的()和针距。
[填空题] 半导体材料的电阻率与(),以及载流子迁移率有关。
[填空题] 氧和碳在硅晶体中都呈()分布。
[问答题] 按构成集成电路基础的晶体管分类可以将集成电路分为哪些类型?每种类型各有什么特征?
[问答题] 光刻和刻蚀的目的是什么?
[问答题] 例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。
[问答题] 例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
[单选题]若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定()。A . 处于绝对零度B . 不含任何杂质C . 不含任何缺陷D . 不含施主
[问答题] 说明水汽氧化的化学反应,水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢?为什么?
[问答题] 例举并描述6种不同的塑料封装形式。陶瓷封装的两种主要封装方法是什么?