• 半导体芯片制造高级工题库

器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。

[单选题]器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。A . 掩膜版B . 扩散C . 光刻

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  • 金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,()做绝缘和密封

    [单选题]金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,()做绝缘和密封。A . 塑料B . 玻璃C . 金属

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  • 在低温玻璃密封工艺中,常用的运载剂由2%(质量比)的硝化纤维素溶解于98%(质量

    [单选题]在低温玻璃密封工艺中,常用的运载剂由2%(质量比)的硝化纤维素溶解于98%(质量比)的醋酸异戊酯或松油醇中制得,再将20%的运载剂与()的玻璃料均匀混合,配成印刷浆料。A . 80%~90%B . 10%~20%C . 40%-50%

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  • 洁净区工作人员应注意些什么?

    [问答题] 洁净区工作人员应注意些什么?

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  • 厚膜混合集成电路的基片种类很多,目前常用的有:氧化铝陶瓷,(),氮化铝(A1N)

    [填空题] 厚膜混合集成电路的基片种类很多,目前常用的有:氧化铝陶瓷,(),氮化铝(A1N)陶瓷。

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  • 在突缘电阻焊工艺中,要获得良好的焊接质量,必须确定的基本规范包括()

    [单选题]在突缘电阻焊工艺中,要获得良好的焊接质量,必须确定的基本规范包括()A . 焊接电流、焊接电压和电极压力B . 焊接电流、焊接时间和电极压力C . 焊接电流、焊接电压和焊接时间

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  • 塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有()、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成

    [单选题]塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有()、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。A . 准备工具B . 准备模塑料C . 模塑料预热

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  • pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。

    [单选题]pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。A . 扩散层质量B . 设计C . 光刻

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  • 引线焊接有哪些质量要求?

    [问答题] 引线焊接有哪些质量要求?

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  • 粘封工艺中,常用的材料有哪几类?

    [问答题] 粘封工艺中,常用的材料有哪几类?

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  • 厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺

    [单选题]厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能(),从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。A . 降低B . 升高C . 保持不变

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  • 简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求?

    [问答题] 简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求?

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  • 简述你所在工艺的工艺质量要求?你如何检查你的工艺质量?

    [问答题] 简述你所在工艺的工艺质量要求?你如何检查你的工艺质量?

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  • 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制

    [单选题]禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。A . 越不容易受B . 越容易受C . 基本不受

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  • 变容二极管的电容量随()变化。

    [单选题]变容二极管的电容量随()变化。A . 正偏电流B . 反偏电压C . 结温

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  • 非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为()。

    [单选题]非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为()。A . 小于0.1mmB . 0.5~2.0mmC . 大于2.0mm

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  • 外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等

    [填空题] 外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。

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  • 反应离子腐蚀是()。

    [单选题]反应离子腐蚀是()。A . 化学刻蚀机理B . 物理刻蚀机理C . 物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

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  • 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化

    [填空题] 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。

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  • 超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠()封接,因

    [单选题]超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠()封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。A . 管帽变形B . 镀金层的变形C . 底座变形

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  • 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?

    [问答题] 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?

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  • 溅射法是由()轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。

    [单选题]溅射法是由()轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。A . 电子B . 中性粒子C . 带能离子

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  • 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。

    [填空题] 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。

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  • 平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。焊轮压力影响盖板和

    [单选题]平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的()。压力太大,电阻值下降,对形成焊点不利,焊轮压力太小,则造成接触不良,不但形不成良好点。A . 电流值B . 电阻值C . 电压值

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  • 简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性?

    [问答题] 简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性?

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  • 双极晶体管的高频参数是()。

    [单选题]双极晶体管的高频参数是()。A . hFEVcesB . BVceC . ftfm

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  • 外壳设计包括()设计、热性能设计和结构设计三部分,而可靠性设计也包含在这三部分中

    [单选题]外壳设计包括()设计、热性能设计和结构设计三部分,而可靠性设计也包含在这三部分中间。A . 电性能B . 电阻C . 电感

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  • 气中的一个小尘埃将影响整个芯片的()性、()率,并影响其电学性能和()性,所以半

    [填空题] 气中的一个小尘埃将影响整个芯片的()性、()率,并影响其电学性能和()性,所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。

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  • 半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是:良好的热性能。外壳应有小的(),

    [单选题]半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是:良好的热性能。外壳应有小的(),使芯片的热量有效地散逸出去,保证器件在正常结温下工作。A . 热阻B . 阻抗C . 结构参数

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  • 常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般

    [单选题]常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用()。A . 热塑性树脂B . 热固性或橡胶型胶粘剂

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