[问答题] 片状元器件有哪些包装形式？
[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A . 4～6hB . 50min～2hC . 10～40minD . 5～10min
[问答题] 试写出常用典型SMC电阻器的主要技术参数。
[问答题] 说明簧片类元件的焊接技巧是什么？
[多选题] 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。A . 投影式同接触式相比，掩模版的利用率比较高B . 接触式的分辨率优于接近式C . 接近式的分辨率受到衍射的影响D . 投影式曝光系统中不会产生衍射现象E . 投影式曝光是目前采用的主要曝光系统
[多选题] 关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。A . 负胶的感光区域溶解B . 正胶的感光区域溶解C . 负胶的感光区域不溶解D . 正胶的感光区域不溶解E . 负胶的非感光区域溶解
[问答题] 试叙述SMT印制板再流焊的工艺流程。
[问答题] 浸焊机是如何分类的？各类的特点是什么？
[问答题] 试简述表面安装技术的产生背景是什么？
[问答题] 无铅焊接的特点及技术难点是什么？
[问答题] 手工焊接技巧有哪几项？
[问答题] 什么叫气泡遮蔽效应？什么叫阴影效应？SMT采用哪些新型波峰焊接技术？
[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A . 600～750℃B . 900～1050℃C . 1100～1250℃D . 950～1100℃
[单选题]光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。A . 150－200℃B . 200℃左右C . 250℃左右D . 300℃左右
[多选题] 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A . CA光刻胶对深紫外光吸收小B . CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C . CA光刻胶在显影液中的可溶性强D . 有较高的光敏度E . 有较高的对比度
[多选题] 按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。A . 光学曝光B . 离子束曝光C . 接近式曝光D . 电子束曝光E . 投影式曝光
[问答题] 请列举其它的焊接方法。
[问答题] 画出自动焊接工艺流程图。
[多选题] 下列可作为磷扩散源的是（）。A . 磷钙玻璃B . 三氯氧磷C . 三氯化磷D . 磷烷E . 掺磷二氧化硅乳胶源
[问答题] 涂敷贴片胶有几种方法？请详细说明。
[问答题] 试叙述SMD集成电路的封装形式。并注意收集新出现的封装形式。
[单选题]在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A . 刻蚀B . 氧化C . 淀积D . 光刻
[多选题] 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。A . 高分辨率B . 高灵敏度C . 精密的套刻对准D . 大尺寸E . 低缺陷
[单选题]在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。A . 化学增强B . 化学减弱C . 厚度增加D . 厚度减少
[问答题] 请总结导线连接的几种方式及焊接技巧是什么？
[问答题] 试叙述SMT维修工作站的配置及用途。
[问答题] 请说明再流焊工艺焊料的供给方法。
[多选题] 关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。A . 正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶B . 正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解C . 负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低D . 正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解E . 负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低
[问答题] 试说明下列SMC元件的含义：3216C，3216R。
[问答题] 请总结再流焊的工艺特点与要求。