[单选题]在各种离子源常用的放电方式中，EOS是指有（）。A . 电子振荡放电B . 离子自动放电C . 低电压弧光放电D . 双等离子电弧放电
[问答题] 设计电子产品生产的工艺布局应考虑哪些因素？
[多选题] 属于铝的性质有（）。A . 电阻低B . 抗电迁移特性好C . 对硅氧化物有很好的黏合性D . 有很高的纯度E . 易于光刻
[问答题] 元器件插装时，应该注意哪些原则（提示：至少总结出四条）？
[问答题] 印制板通孔安装方式中，元器件引线的弯曲成形应当注意什么？具体说，引线的最小弯曲半径及弯曲部位有何要求？
[多选题] 电荷积分仪的基本单元包括（）。A . I-V转换B . V-f转换C . 十进制计数电路D . 控制电路E . 红外探测器
[问答题] 什么是锡焊？其主要特征是什么？
[问答题] 请说明方框图的作用及绘制方法是什么？
[多选题] 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A . 除去光刻胶中剩余的溶剂B . 增强光刻胶对晶片表面的附着力C . 提高光刻胶的抗刻蚀能力D . 有利于以后的去胶工序E . 减少光刻胶的缺陷
[问答题] 什么叫虚焊？产生虚焊的原因是什么？有何危害？
[多选题] 离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。A . 砷化氢B . 二硼化氢C . 三氟化硼D . 硅烷E . 氧气
[单选题]离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。A . 等离子体B . 不等离子体C . 正离子体D . 液电流
[多选题] 下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。A . ARC可以是硅的氮化物B . 可用干法刻蚀除去C . ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D . ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E . ARC膜也可以通过CVD的方法形成
[问答题] 工艺文件的电子文档化要注意哪些问题？怎样才能保证工艺文件的电子文档是安全可靠的？
[多选题] 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。A . 氧化B . 改变导电类型C . 涂层D . 改变材料性质E . 镀膜
[单选题]硅烷的分子式是（）。A . SiF4B . SiH4C . CH4D . SiC
[问答题] 集成电路有哪些封装形式？分别如何安装？
[问答题] 试总结焊接的分类及应用场合是什么？
[单选题]离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。A . 离子距离B . 靶厚C . 射程D . 注入深度
[问答题] 焊接操作的五个基本步骤是什么？如何控制焊接时间？请通过焊接实践进行体验：焊接1/8W电阻；焊接7805三端稳压器；焊接万用表笔线的香蕉插头；用φ1铁丝焊接一个边长1.5cm的正立方体（先切成等长度的12段，平直后再施焊）；用φ4镀锌铁丝焊一个金字塔，边长5cm；发挥你的想像力和创造性，用铁丝焊接一个实物的立体造型（必要时，自己设计被焊构件的承载工装）。
[单选题]射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。A . 投影射程B . 射程纵向分量C . 射程横向分量D . 有效射程
[单选题]下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。A . 烘烤的目的是除去光刻胶中的水分B . 烘烤可以减轻曝光中的驻波效应C . 烘烤的温度一般在300℃左右D . 烘烤的时间越长越好
[单选题]晶体中，每个原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置时其势能为（）。A . 极大值B . 极小值C . 既不极大也不极小D . 小于动能
[多选题] 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A . 负胶受显影液的影响比较小B . 正胶受显影液的影响比较小C . 正胶的曝光区将会膨胀变形D . 使用负胶可以得到更高的分辨率E . 负胶的曝光区将会膨胀变形
[问答题] 锡焊必须具备哪些条件？
[多选题] 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。A . 红外线辐射B . X射线照射C . 加热D . 紫外光辐射E . 电子束扫描
[问答题] 电原理图中的虚线有哪些辅助作用？在电原理图中，虚线一般是作为一种辅助线，没有实际电气连接的意义。它的辅助作用如下：
[单选题]在靶片前方设一抑制栅，作用是将（）抑制回去，从而保证测量的准确性。A . 二次电子B . 二次中子C . 二次质子D . 无序离子
[问答题] 试叙述焊接操作的正确姿势是什么？
[单选题]如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之为（）。A . 单晶靶B . 超晶靶C . 多晶靶D . 非晶靶