例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

[问答题] 什么是扩散工艺？

[单选题]扩散工艺现在广泛应用于制作（）。A . 晶振B . 电容C . 电感D . PN结

[问答题,论述题] 集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A . 1050～1200℃B . 900～1050℃C . 1100～1250℃D . 1200～1350℃

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A . 600～750℃B . 900～1050℃C . 1100～1250℃D . 950～1100℃

[问答题] 简述离子注入工艺中退火的主要作用？

[问答题] 什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？

[问答题] 例举离子注入设备的5个主要子系统。

[多选题] 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A . 埋层B . 外延C . PN结D . 扩散电阻E . 隔离区

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A . 4～6hB . 50min～2hC . 10～40minD . 5～10min