[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误
[判断题] 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向)以相同的刻蚀速率进行刻蚀。A . 正确B . 错误
[单选题]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A . 选择性B . 均匀性C . 轮廓D . 刻蚀图案
[多选题] 通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。A . 光刻胶B . 衬底C . 表面硅层D . 扩散区E . 源漏区
[填空题] 刻蚀剖面指的是(),有两种基本的刻蚀剖面()刻蚀剖面和()刻蚀剖面。
[单选题]填料塔润湿速率计算公式为()。A .填料比表面/淋洒密度B .淋洒密度/填料比表面C .填料层的周边长/液体体积流量D .液体体积流量/填料层比表面
[单选题]在刻蚀()过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。A . 铜B . 铝C . 金D . 二氧化硅
[填空题] 写出STM-N信号速率的计算公式()。
[单选题]大硅片上生长的()的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A . 薄膜厚度B . 图形宽度C . 图形长度D . 图形间隔
[单选题]()是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A . 刻蚀速率B . 刻蚀深度C . 移除速率D . 刻蚀时间