曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。

[单选题]用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A . ARCB . HMDSC . 正胶D . 负胶

[判断题] 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A . 正确B . 错误

[单选题]在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。A . DQNB . CAC . ARCD . PMMA

[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[单选题]下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。A . 烘烤的目的是除去光刻胶中的水分B . 烘烤可以减轻曝光中的驻波效应C . 烘烤的温度一般在300℃左右D . 烘烤的时间越长越好

[单选题]在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。A . 化学增强B . 化学减弱C . 厚度增加D . 厚度减少

[问答题] 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

[多选题] 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A . CA光刻胶对深紫外光吸收小B . CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C . CA光刻胶在显影液中的可溶性强D . 有较高的光敏度E . 有较高的对比度

[问答题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？